Author(s) : Haderbache, L. , Wetzel, P. , Pirri, C. , Peruchetti, J.C. , Bolmont, D. , Gewinner, G.

Description : En utilisant la photoémission des rayons UV, résolue angulairement (ARUPS), la photoémission de rayons X (XPS) et la diffraction d'électrons lents (LEED), nous avons étudié la croissance de films de CoSi2 épitaxiques sur Si(111). Trois structures de surface (1 × 1) différentes, appelées CoSi 2(111)-...

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Language(s) : French

Subject(s) : [PHYS:HIST] Physics/Physics archives , annealing , cobalt compounds , molecular beam epitaxial growth , surface structure , ultraviolet photoelectron spectra , X ray photoelectron spectra , semiconductor , topmost Co layer coordination , Si 111 , angle resolved photoemission , ARUPS , X ray photoemission , XPS , low energy electron diffraction , LEED , epitaxial growth , 1*1 surface structures , controlled deposition , annealing conditions , low temperature , reactive MBE , sequential deposition , homogeneity , film thickness , quantized hole states , particle confinement , narrow potential well , 400 degC , CoSi sub 2 films , Si , CoSi sub 2 Si

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Contributor(s) :

Source(s) : Revue de Physique Appliquée

Publication Date(s) : 1990-01-01